中芯國際集成電路製造有限公司(簡稱中芯國際)將於2016年2月19日(星期五)宣布公司2015年第四季度業績，
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，近期與大唐電信科技產業集團旗下聯芯科技有限公司(簡稱聯芯科技)共同宣布，
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，中芯國際28奈米高介電常數金屬閘極(HKMG)製程已成功完成設計定案(tape out)，
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，聯芯科技基於中芯國際28奈米HKMG製程平台打造新的智慧型手機SoC晶片，
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，目前已通過驗證，
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，準備進入量產階段。中芯國際是中國大陸首家能夠同時提供28奈米多晶矽(PolySiON)和HKMG製程的晶圓代工企業，
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，與傳統的PolySiON製程相比，
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，HKMG技術將更有效改善驅動能力，
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，進而提升晶體管的性能，
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，同時大幅降低柵極漏電量。聯芯科技推出的智慧型手機SoC晶片，擁有更高的性能、更快的速度以及更低的功耗，CPU主頻達1.6GHz。中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈雲表示，很高興能與聯芯科技在28奈米HKMG平台進行合作，共同打造先進的智慧型手機SoC晶片，未來將持續在28奈米技術平台的開發及改善，預計將在2016年底推出基於HKMG製程的緊湊加強型版本。(時報資訊)，