《半導體》台積電偕瑞薩,開發28奈米微控制器

台積電(2330)、瑞薩電子今(1)日共同宣布,

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,雙方合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術,

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,以生產支援新世代環保汽車與自動駕駛車的微控制器(MCU)。採用此全新28奈米製程技術生產的車用MCU預計於2017年提供樣品,

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,2020年開始量產。瑞薩與台積公司自90奈米技術世代開始便密切合作開發內建快閃記憶體的MCU產品。為了使未來的環保汽車與自動駕駛車更具節能效益且更可靠,

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,雙方在合作40奈米MCU平台與生產四年之後,

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,擴大合作至28奈米MCU的開發。透過此次合作,

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,瑞薩具備高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽(MONOS)eFlash技術,

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,將結合台積公司高效能、低功耗的28奈米高介電層金屬閘製程技術,生產全球頂尖的車用MCU產品,以支援廣泛的應用,例如自動駕駛車的感測器控制、電子控制單元(ECU)之間的協調控制、環保汽車的高效率燃油引擎控制、以及電動車的高效率馬達變頻器控制。為了滿足未來自動駕駛車對於高效能與安全性的嚴格要求,新世代MCU利用3D雷達監測車輛四周環境,以實現高精度的感測功能,同時可整合多個感測器的資料,並且具備自動駕駛操作時所需的即時判斷處理能力。同時,為了符合更嚴格的排放法規,新世代環保汽車的引擎還需要強大的運算效能來運作新的燃油系統,也需要強大且大容量的內建快閃記憶體來容納更大的韌體程式。由於市場對環保的要求越來越高,對電動車(EV)與充電式油電混合車(PHV)要求具備更長的行駛距離,因而創造了對於更高運算效能及功能整合度MCU的需求,以實現效率更高、體積更小的馬達變頻器。此外,具備優異效能與絕佳安全性的MCU嵌入式快閃記憶體技術對於打造新世代控制技術來說也是必須的,適用領域包括工業4.0等工業領域以及社會基礎建設領域。(時報資訊),

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